英飞凌OptiMOSFD系列提升硬式整流耐用度

英飞凌科技(Infineon Technologies)推出全新 OptiMOS FD 200V 和 250V，让中电压产品组合更为完备。最新一代的 Power MOSFET 专为本体二极体硬式整流最佳化所设计，不仅提高产品耐用度、降低电压尖波，还能降低逆向回复损失，进而提高系统可靠度，尤其是在电信系统、工业用电源供应器、D类音讯放大器、马达控制(48 -110V系统)及DC/AC变频器等硬式切换应用。

OptiMOS FD 系列拥有最佳化的逆向回复电荷(Qrr)，符合最高的效能标准。OptiMOS FD 200V 和 250V 的 Qrr 比标准的 OptiMOS 200V 和 250V 降低 40%，进而可减少电压尖波，并省下缓震电路，大幅提升系统可靠度。

英飞凌DC/DC系统部门资深协理 Richard Kuncic 表示：「英飞凌再次将 200V 和 250V 电压等级的水准向上提升，设立新基准正是让我们持续前进的动力。随着 OptiMOS FD 系列的推出，我们将持续提升切换效能。这个最新一代的 Power MOSFET 将协助我们的客户省下工程设计上的成本及时间，尤其是在硬式整流等应用方面。」

最新 OptiMOS FD 提升硬式整流的耐用度，可在需求更严格的情况下使用，dV/dt、dl/dt 和电流密度都优于目前市场上的 200V 和 250V 技术，因此使用更方便，也可简化设计流程。

OptiMOS FD 还比其他同类装置减少45%的导通电阻(RDS(on))和65%的优值系数 (FOM)，能提供最高的效率及功率密度。

OptiMOS FD 200V 产品组合提供 RDS(on) 11.7 m 的 D2PAK 封装，以及 RDS(on) 12m 的 TO-220 封装。OptiMOS FD 250V 产品组合则提供 RDS(on) 22m 的 TO-220 封装。

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